全球存储芯片行业景气度持续提升。从存储芯片最主要的两大类产品DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（闪存存储器）来看，根据TrendForce集邦咨询预估数据，2024年第一季度DRAM价格环比增长20%，第二季度增长13%至18%，第三季度将增长8%至13%；NAND Flash第一季度价格环比增长23%至28%，第二季度增长15%至20%，第三季度将增长5%至10%。
智帆海岸机构首席顾问、资深产业经济观察家梁振鹏向《证券日报》记者表示：“存储芯片的涨价主要基于供需关系变化，涨价初期主要由于存储大厂控制产能强势拉动，目前已经逐步转为由市场需求带动涨价。”
近日，三星已向包括戴尔科技、慧与在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器DRAM和企业级NAND闪存报价提高15%至20%。今年以来，三星已经多次调价。
除了三星之外，另外两大存储巨头SK海力士和美光公司也频频传出涨价消息。SK海力士5月份称，将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价。美光公司则在4月份向多数客户提出调升产品报价。
从全球市场竞争格局来看，根据集邦咨询统计的2024年第一季度全球DRAM企业营收数据，三星、SK海力士和美光公司分别占全球存储市场44%、31%、22%的份额。这三家厂商产品价格的上江南体育官网调，带动了行业景气度的整体提升。
A股存储赛道头部企业兆易创新近日在投资者互动平台表示：“公司DRAM、SLC NAND价格自底部已经实现温和上涨，其它产品线上公司会持续保持对市场情况的紧密跟踪，考虑多方因素综合判断，随着市场演变及时做调整。”
佰维存储近日在接受投资者调研时表示：“随着存储市场将在第三季度进入传统旺季，受益于人工智能服务器需求迅猛增长等因素，海外存储需求持续高涨，国内需求有所回落，但整体来看行业景气度有望延续。”
“由于全球人工智能产业的快速发展，HBM（高频宽存储器）正面临供不应求的市场现状，目前市场需求缺口较大。此外，DDR5也是涨幅较大品类。三星、SK海力士与美光公司都积极将DRAM的部分产能转为生产HBM，导致DRAM供给减少及价格快速上扬。”梁振鹏表示。
全球内存接口芯片龙头澜起科技在内存接口芯片领域潜心研发，先后推出了DDR2至DDR5系列内存接口芯片。澜起科技近日在接受机构调研时表示：“目前，DDR5世代已经开启子代迭代，公司研发进度领先，并持续巩固在该领域的市场领先地位。”
存储模组龙头江波龙自研存储芯片业务逐步推进，公司具备了从存储晶圆设计、生产端深入理解各类存储晶圆特性的能力，形成从小容量存储到大容量存储的体系化竞争优势。对于HBM产品方面，江波龙表示，目前公司虽然无法生产HBM，但子公司元成苏州具备HBM技术涉及的晶圆高堆叠封装量产能力。
作为“半导体行业风向标”，存储芯片已于2023年下半年率先启动上涨，并实现价格持续攀升。展望今年下半年，华福证券分析师杨钟在研报中表示：“人工智能服务器领域需求持续走强，智能手机等仍有库存回补需求，各品牌厂商与原始设计制造商或将重启备货，同时工控与车用领域也有望逐步回暖，从而带动存储市场增长，存储价格可能延续上涨格局。”
数博会期间，国家数据局会同科技部等部门发布[详情]
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