起因，是9月9日国家工信部发布的一个通知：《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024版）》。
这两行，是什么意思？是连一个形容词都没有，就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗？
下面那款光刻机的介绍里，怎么还有一个“≤8nm”？天哪，那不就是突破了卡脖子的“7nm”？
很快，有人说：太好了。轻舟已过万重山，实锤了。中国终于有了自己的7nm光刻机，可以造出自己的7nm芯片，不怕再被卡脖子了。
可是，还有人说：别激动。只是误会。那个“8nm”不是重点，它上面那个“65nm”才是。国产芯片还只在65nm的水平，努努力最多也就能够到28nm，离7nm还远得很。
“造出7nm芯片”，到底是个什么概念？做到这件事，真的很了不起吗？国家工信部《目录》里的那寥寥几个字，又意味着什么？我们在芯片上的脖子，还卡着吗？
我的感觉是，或许，可以先晚点再“感觉”。因为，对于大部分人来说，造芯片这件事，太陌生了。
“此次官宣的国产光刻机，是一个套刻≤8nm，分辨率65nm，干式，波长193nm，DUV光刻机。”
句子不算长，没有一个生僻字。但，如果不是对这行有了解的专业人士，有多少人能看懂？又能看懂多少个词？
一年前的8月29日，华为Mate60 Pro手机，在没有任何宣传的情况下，突然开售。
紧接着，那几天从各大热搜榜，到我的朋友圈，都被一个词刷屏了：7nm芯片。
很多第一批抢购到这款手机的人，无论国内国外，都在不约而同地做一件事：拆。
把手机里的那块麒麟9000S芯片拆出来，跑分，验性能，看做到了什么水平。
刚好，那段时间我的直播间请来了《芯片战争》的作者，余盛老师。我也借此机会看了一些资料，请教了一些朋友。
主打一个既有更多干活儿的员工，能帮你做更多更大的项目，又少耗你的电，少占你的地。
所以，注意，最开始聊芯片，说“你这是28nm芯片”，“我这是14nm芯片”时，28nm, 14nm，指的并不是芯片的大小，不是晶体管的大小，也不是晶体管和晶体管之间的距离，而是晶体管里的这个“沟道宽度”。
卷到“7nm芯片”时，“沟道宽度”是不是线nm，已经不是重点，各有说法了，但本质没变：
更小的纳米制程，就意味着更好的PPA，可以在更小的“办公室”里，塞下更多“员工”。
因为，光塞得下还不够，你怎么才能在指甲盖那么点地方，把这成万上亿的员工，安排得明明白白？
这事，说复杂，可以很复杂。一台光刻设备，十万多个零件，价格动辄上亿美金还不包邮，算下来比一台波音737还贵。就只为能干成这件事。
传统的胶片电影放映时，会先打出一束光，让光线穿过一个像放大镜一样的镜头，再穿过一层电影胶片，就能把胶片上的图案，投射到银幕上。
光刻也类似。也是打出一束光，穿过一组透镜系统，再穿过一层掩膜版，就能把掩膜版上刻着的电路图，投射到制作芯片的衬底，也就是晶圆片上。
区别只在于，放电影，是用“放大镜”，把小图投成大图。光刻，则是用“缩小镜”，把大图投成小图。
一张7nm芯片的电路图，要把几十上百亿个晶体管和其它电子元件，都安排得明明白白。
并且，从晶体管，到连接晶体管的导线，都精细到了纳米级，比你家菜刀的刀刃还要细上10万倍。
有行业里的人曾形容：这就相当于要在一个指甲盖大小的地方，刻出整个上海。而且不能刻漏一间房，不能刻歪一条路。
太疯狂了。这要怎么刻？怎么刻，才能 “快、准、稳”地刻出这种电路图的沟沟壑壑？靠激光吗？
可是，激光直写，纳米压印……一个个方法试下来，有的很贵，有的很慢，还有的很容易报废，很难商业化，谁这么刻谁亏钱。
涉及的工艺虽然很多，但思路大体上和“把大象关进冰箱”也差不多，主要就四步：
没线条遮着的地方，光透过去了，和光刻胶一照面，光刻胶就变成了另一种脾气。
光刻胶依然没被溶解的地方，相当于覆盖了一层保护膜，而光刻胶被溶解了的地方，会直接接触到腐蚀液，被“快、准、狠”地蚀刻出与电路图相对应的沟沟壑壑。
因为波长越短的光，衍射的扩散角度越小，换句话说，就是越会乖乖走直线，不糊不乱跑，你指哪儿它打哪儿。
你有没有能力在成本可控的前提下，稳定而持续地发出它？你的光刻胶和它来不来反应？你的其它工艺流程能不能和它兼容？
很多人认为，用这把“光刀”的光刻设备，基本只能刻出20nm以上制程的芯片。
EUV，也是一种光的名字：Extreme Ultra-violet（极紫外光）。看名字就知道，这种光卷得更狠，波长可以短到只有13.5nm。
谁拥有了这把刀，谁就有机会再往前一步，刻出7nm，甚至，5nm，3nm这样更先进的芯片。
2018年，中国的中芯国际，拿出了相当于它全年利润的1.2亿欧元，向ASML订购了中国第一台EUV光刻设备。
但是，美国发声了。声称EUV光刻设备中有20%的美国零件，想要出口必须征求他们的同意。而他们不同意。
在晶圆表面和透镜之间，加上一层超纯水，纯净到不含矿物质、颗粒、细菌、微生物等任何杂质，只有氢离子和氢氧根离子的超纯水。
193nm的深紫外光，在水中的折射率为1.44，波长可以进一步缩短到134nm。
这个方法，把DUV光刻设备，从“在空气里刻”的干式时代，直接带进了“在水里刻”的浸没式时代。
靠这个方法迭代 “刀刃”，你有可能在你班里提提名次，把制造水平从28nm制程提升到22nm制程，但要一口气考上清华，搞定7nm制程，还是很难。
一颗头，有十几万根头发。要一次全部梳到位，那就造个至少也有十几万根梳齿的梳子。
把它拆分成线条间隔更疏朗的三个“图层”，再做成三张“掩膜版”，一张一张“刻”。最后，不也能套叠成一整张完整的“上海地图”？
所谓的LELE工艺，LFLE工艺，SAPD工艺，本质上都是多重曝光，多刻几次的办法。
首先，人家用一张掩膜版，曝光一次。你用三张掩膜版，曝光三次。谁在成本和效率上更有竞争力？
其次，要把全头梳到位，至少得梳一次，动一下手，把梳子对准到另一个位置梳吧？
一层一层地“刻”时，又怎么保证最后几张套叠在一起时，能100%完全吻合？
芯片的制造，不止是一道技术题，还是一道经济题。除了“能不能做”，还要兼顾“值不值得”。
用DUV光刻设备通过多重曝光制造7nm芯片，或许可以帮忙够到高一点的地方，但也有代价和天花板。
所以今天，很多资料都认为，综合考虑下来，就算加上浸没式光刻和多重曝光，造7nm芯片也几乎是DUV光刻设备的天花板了。
要继续往前，制造7nm芯片，乃至更先进的 5nm芯片，3nm芯片，还得靠EUV光刻设备。
如果说“用DUV光刻机造出7nm芯片”的难度系数是“过万重山”，那么“造出一台EUV光刻机”的难度系数，就是“过万重珠穆朗玛峰”。
手不能停。要保持每秒钟至少连续轰击50000次，才能保证它一直崩溃，一直电离，你一直有光，刻得很稳。
波长越短的光，有一个不靠谱的特点：很容易被吸收，还没投到光刻胶那里开始干活，就已经散得差不多了。
目前的EUV光刻机里，设了很多“镜子”，也就是聚焦反射器，来确保EUV的光，能更少被半路吸收，更安全地到达光刻胶。
翻译成普通话来说：如果把这面“镜子”放大到地球那么大，它上面只允许有一根头发丝那么细的凸起。
这，就是要造出一台和别人现在用的差不多的EUV光刻机，至少要爬的几座山峰。
“此次官宣的国产光刻机，是一个套刻≤8nm，分辨率65nm，干式，波长193nm，DUV光刻机。”
“套刻≤8nm”，指的只是一个“梳头”时的误差，而不是“可以造出7nm芯片”的水平。
“分辨率65nm”，意味着有机会能刻出65nm芯片，不计代价多重曝光的线nm芯片。
“波长193nm的DUV光刻机”，意味着前方还有一座“波长可以短到13.5nm的EUV光刻机”的珠穆朗玛峰要翻。
什么时候，我们才能线nm制程，乃至更先进，更能和世界水平比肩的国产光刻机，不再被卡脖子？
这几天，有人说，还很远。“可能还要十几年，因为世界当前最先进的ASML，走完这段路就是花了十几年。”
但很快，也有人说，不好说。“ASML花十几年做出来的背后，有全球几十个国家的合作，和国内外数千家供应商的配合。”
嗯，听说过。可是，各有各的说法，那我怎么判断？有没有，来自更前线的说法？
今年的手机发布会上，华为没有多说。但9月19日，华为副董事长、轮值董事长徐直军在华为的另一场大会上，曾简单说过2句：
1，“中国大陆的芯片工艺制造将在很长一段时间处于落后，我们要做好长期的算力解决方案。”
什么是“推广”？很先进，且可量产的。而投入量产的工厂之外，往往还有更先进的实验室。
再前几天，刷到“华为”的热搜，排在它下面的那一条是国产大飞机“C919”的量产和交付；
再之前呢？国家统计局公布了2024年上半年国民经济运行情况，其中，高技术产业投资同比增长10.6%，快于全部投资6.7个百分点......
确实，从没有7nm芯片，到拥有7nm芯片。从DUV，到EUV。从一份新文件，到一种新算力。江南体育官网
